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        氮化镓(GaN)采取优势与原理


          氮化镓晶体管特性:可耐受极度高温,并且其频率和功率特性远远高于硅、砷化镓、水晶、以及迄今为止所制造的全部半导体器件。该系器件的效率和功率处理能力对于为艺术领域带来革命的尖端通信网络中的放大器、调制器和任何关键器件非常重大。
          氮化镓(GaN)晶体管可将基站放大器的频率提高到今日的两倍或三倍,从而可以用较少数量之基站覆盖同样的地域,或者,更可能的情景是,在基站数量不变的情况下提供更高的数据传输速率。鉴于不再需要强力风扇和校正电路,一切基站有可能缩小到只有小型电冰箱的大小,可以安装在电线杆上,而不要占据电话公司基本局中昂贵的空中。
          这一速度、高功率和耐热性能的组成还使GaN晶体管适合广大之任何应用。GaN晶体管对该类电路非常漂亮。其它的新鲜的处在于结合了碳化硅的高击穿场强和砷化镓、浓缩铀硅或磷化铟材料的高频率特性。当然对于半导体而言,性能和资本将决定最终的赢家。当前在两地方GaN都还有好多可以改善的空中。
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