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      平尚详细阐明晶体三极管的特性曲线


       1、进出口特征
        三极管的转口特征曲线,其它表示Ib随Ube的革命干系,伊特征是:1)顶Uce在0-2伏范畴内,伽马射线和外形与Uce 有关,但当Uce权威2伏后,伽马射线Uce重要有关平日进出口特征由两枝直线(Ⅰ和Ⅱ)表示。
        2)顶Ube<UbeR时,Ib≈O称(0~UbeR)的路段为“镇区”顶Ube>UbeR时,Ib随Ube提高而提高,缩小时,三极管事情在较直线的路段。
        3)三极管输出电阻,界说为:
        rbe=(△Ube/△Ib)Q点,伊预算公式为:
        rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏)
        rb为三极管的基区电阻,对低频小功率管,rb约为300潘。
        2、步入特征
        步入特征示意Ic随Uce的革命干系(以Ib为数)特色可见,其它分为三个城区:停止区、缩小区和饱和区。
        停止区 顶Ube<0时,则Ib≈0,发射区没有电子注入基区,但因为分子的热活动,集电集仍有少量电流畅过,即Ic=Iceo称为穿透电流,气温时Iceo约为几微安,浓缩铀管约为几十微安至几百微安,其它与集电极反向电流Icbo的干涉是:
        Icbo=(1+β)Icbo
        气温时硅管的Icbo小于1微安,浓缩铀管的Icbo约为10微安,关于锗管,温度每降低12℃,Icbo数值增长一倍,而关于硅管温度每降低8℃,Icbo数值增大一倍,固然硅管的Icbo随温度变革猛烈,但因为锗管的Icbo值自身比硅管大,以是锗管依然受温度影响较紧张的管,缩小区,顶晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏业务时,Ic随Ib类似作线性变革,缩小区是三极管事情在缩小形态的地域。
        饱和区 顶发射结和集电结均处于正偏形态时,Ic重要上不随Ib而变革,得到了缩小功用。根据三极管发射结和集电结偏置状况,概括鉴别其工作形态。
        三极管的转口特征与输入特征
        停止区和饱和区是三极管事情在开关形态的地域,三极管和导通时,工作点落在饱和区,三极管停止时,工作点落在停止区。

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